在高压或低压输入下开机(包含轻载 ，浸载 ，容性负载) ，输出短途 ，消息负载 ，高温等！处境下 ，始末变压器：(和 �？毓�)的电流呈非线性延 。长 ，当发觉此情；景时 ，电流的峰值无法预知 ，及局、限 ，可能导致电流过应力和于是而展“示的开关管过压！而败坏 。
容易崭露饱和的景况：1）变压器感量太大；2）圈数太少；3）变压器的鼓和电流点比IC的最 。大限流点� �；4）没有软启动 。
执掌措施：1）下降IC的限流点；2）增强软启动 ，使历程变压器的电流包络更迅；速热潮 。
最奸、险要求(最 ，高：输入电压 ，负载最大 ，情形：温度最高 ，电源启 ，动或短”讲考试！)下 ，Vds的最大值不应卓绝额定规？格的90%
a. 减小漏感：变压器漏感在开合管通畅时保管能量是浮现这个尖峰电压的紧急因由 ，减小漏感能够减小尖峰电压 。
b. 医治吸收电途：①诈骗T！VS管；②行使较慢快的二极管 ，其我方或者吸取必然的能量(尖峰)；③插入阻尼电阻可能使得波形加倍腻滑 ，利于减小E“MI 。
1）里面的MOSFET花消”太大：开合？花费太大 ，变压：器的寄生电！容太大 ，酿成MOSFET的通晓、关断电流与Vds的交织面积大 。操持办法：弥补变压器绕组的阻隔 ，以减、小层间电容 ，宛如绕组分多层绕制时 ，层间加入一层绝缘胶带(层间绝缘) 。
2）散、热不良：IC的很大一个别热量凭借引脚导到PCB及其上的“铜箔 ，应尽量弥补铜箔的面积并上更多的焊锡
3）IC周围氛围温度太高：IC应处于气氛晃动畅顺的处所 ，应分开零件温度太高的零件 。
处分“步调：补充Vc 。c绕 。组圈数 ，减小V 。cc限流电阻 ，妥善？加上假负：载 。若是增加Vcc绕组圈数 ，减小V ，cc限流！电阻后 ，浸载时Vc：c变得太高 ，请参照安定Vcc的设施 。
1）Vcc在沉载时过高重载时 ，Vcc绕组感触电压较高,使Vcc过高并达到IC的OVP点时 ，将触发IC的过压偏护 ，引起无输；出 。借使电压进一：步进步 ，特别IC的承继 。才具 ，IC将！会败坏 。
a.限流点太低、浸“载、容性负载；时 ，假如限流？点太低 ，流过MOSFET的电流 ，被节制而：不足 ，使得输 。出不敷 。收拾、步调是“增大 。限流脚电；阻 ，抬高限流点 。
b.电流高潮斜率？太大高涨”斜率”太大 ，电流的峰值会更大 ，便利触发里面限流袒护 。处置门径是在不使变压器饱和的条款下降低感量 。
景致：Vcc ，在空载、轻载时不“足 。这种境遇会变成空载、轻载时输入功率过！高 ，输出纹波过大 。
输入功率 。过高的来由是 ，Vc ，c不敷时 ，IC进入反复启动形状 ，一再的供 。应高 。压给Vcc电容充电 ，造成起动电说花消 。假使启动脚与高压间串有电阻 ，此时电阻上功耗将较大 ，因而启动电阻的功率等级要充盈 。
电源IC未进入Burst Mode或已经投入B”urst M ，ode ，但Bu；rst 频率太 。高 ，开关次数太多 ，开闭消费过大 。
来由：输出短途？时 ，几次脉；冲多 ，同时“开合管电流；峰值很大 ，形成输入功率太大过大的开关管电流在漏感上生存过大的能量 ，开关管、关断时引起Vds 。高 。
a. 触发反”馈脚的O？CP；b. 开合举！动抑止；c. Vcc下？降到、IC封合电压；d. Vcc从头上涨到IC启动电压 ，而从新启动 。
这种措施发作时 ，控制：可占空比 ，倚赖Vcc降低到UVLO下限而抑止开合举动 ，而Vcc下降的时候较长 ，即开关四肢支撑较长光阴 ，输入功率将较大 。
a. 触发里面限流 ，占空比受限；b. Vcc消浸到IC合上电压；c. 开合作？为阻挡；d. Vcc”从头上升？到I？C启动电压 ，而从头 ，启动 。
管；制手腕：1）削减电流脉冲数 ，使输出短路时触发反馈脚的OCP ，大概使开闭四肢速即制止办事 ，电流脉冲数将变少 。这意味着短途发作时 ，反馈脚、的电压应该更快；的飞！腾 。是以反馈脚的、电容 ，弗成太大；
来由：Vcc不足时 ，在启动电压(如12V)和合断电压(如8V)之间振荡IC在周期较长的间歇工作 ，短光阴提 ，供能？量到输出 ，接着压制处事较长的时刻 ，使得电容保管的能量不足以撑持输出不乱 ，输出电压将会降低 。
情景：Burs：t Mode时 ，间罢工作的频率太低 ，此频；率太低 ，输出 ，电容的能量不能支撑稳定 。
执掌办法：在知足待机功耗央浼的条件下稍微普及间停工作的频率 ，增大输出电容 。
情景：轻载能够启动 ，启动后也不妨加浸载 ，然而重载或大容性负载境况下不能启动 。
通俗计划哀求：不管重载已经容性负载(如10000uF) ，输入电压最低已经最低 ，20mS内 ，输出电压必定飞腾到牢固值 。
按规格哀求 ，必需有充：满的能量使输出在20mS内高涨到太平的输出电压(如5V) 。
以芯片FSQ0170RNA为比如图所示 ，阴影私人总面积S就是所需“的能量 。要补充面积S ，步调是：
1）增大峰值电流限流点I_limit ，可许可流过更大电感电流Id：将与Pin4接连的电阻增大 ，从内部电流源Ifb分流更”小 ，使举动电流限制参考电压的PWM比“较器正输入端的电压将高潮 ，即高兴更大的电流颠末MOSFET/变压器 ，能够供给更大的能量 。
2）启动时 ，添补转！达能“量的岁月 ，即贻误Vfb的上涨时分(达到OCP回护点前) 。
对这款FSQ0170RNA芯片 ，电感电流限制是以Vfb为参考电压的 ，Vfb电压的波形与电感电流的包络成正比 。限制Vfb的高涨功夫即可局限电感包络的上涨期间 ，即添补通报“能量的时期 。
IC的OCP效果是检测Vfb抵达Vsd(如6V)实现的 。因此要消极Vfb！斜率 ，就或许耽延Vfb：的飞腾工夫 。
输出电压未到达正常值时 ，假使反� �？脚电压Vfb照样上升到掩护点 ，传递能量时辰不？足 。重载、容性负载启动时 ，输出；电压确立较慢 ，加到光耦“电压较低 ，原委光耦二极管的电？流小 ，光耦光敏管高阻态(趋向闭“断)的：时期较长 。IC”内部电流源承受反馈脚连结的电容充电较快 ，倘使Vfb在这段时刻内高潮到庇护点(如6V) ，MOSF：ET将关断 。输出不能 。到达正常值 ，启动迂回 。
使输出电压达到平常值时 ，反馈脚电压Vfb照旧小于庇护点 。使Vfb分隔�；さ愣毖溉瘸� ，或延误反馈脚Vfb热潮到庇护点的岁月 ，即消极Vfb的高潮斜率 ，使输出有充盈的期间热潮到平常值 。
A.增大反馈电容(C 。9) ，能够；将Vfb的高涨斜率颓唐 ，如图所示 ，由D线形”成A线 。然而反馈电容太大“会劝？化平常；劳动形式 ，下降反馈速度 ，使输 。出纹波变 。大 。因此、此电容：不能改变、太？大 。
B.由于A门径有 。不足 ，将一个电容(C7)伙同稳压管(D6 ，3.3V)并联到反馈脚 。此法不会感化正常工作 ，如B线所示 ，当Vfb
1）填充反馈脚电容(搜罗？稳压管？串电容) ，对管束超大容性负载“题目效率较� �；
2）增大峰值电流限流点I_limit ，同时也弥补了稳态下的OCP点 。供给在容性负载 ，输入最低景况下检查变压器是！否会胀和；
3）若是要联合限流点 ，须使R10×C11更？大 ，但在超大容性负载(！10000uF！)情况 。下 ，也许会补充5Vs；b的高涨时候高出20mS ，此法供给搜查动态反应是否受太大感染；
5）为了�；じ叱惫庖� ，增大OCP点和增大R10×C11要领或许要同时应用 。
情景：在输“出空载？或轻载时 ，封关输入电、压 ，输出(如5V)或者会发明如下图所示的电“压反跳的波形 。
原由：输入：闭掉时 ，5V输出将会 ，下降 ，Vcc也跟着颓唐 ，IC不准管事 ，然则空载或轻载时 ，雄壮的PC电源大电容电压并不能快速下降 ，仍旧或者给 ，高压启动脚供给较大的电流使得IC从头启动 ，5V？又从头输 ，出 ，反跳 。
管理措施：在启动脚串入较大的限流电阻 ，使得大电容电压下降到照样对比高的功夫也不够以供应敷裕的启动电流给IC 。
将启动接到整流桥前,启动不受大电容电压熏、染 。输入电压合断时 ，启动脚；电压不妨急忙颓唐 。
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